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led灯具如何实现光效最大化?解析核心光谱调控技术
光效提升的底层逻辑
在光电转换领域,量子阱结构设计直接决定led芯片的载流子复合效率。山东元旭光电采用mocvd外延生长技术,通过精准调控ingan/gan多量子阱的势垒宽度,将电子泄漏率控制在0.3%以下。配合表面等离子体共振(spr)增强技术,使450nm蓝光芯片的辐射复合效率提升至82%,为下游灯具产品奠定高效基础。热管理关键参数
采用氮化铝陶瓷基板实现5.6w/m·k热导率
三维翅片【光电技术】
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- 2025 年 5 月 (119)